除激光切割機(jī)中的LCVD技術(shù)之外，還有其他幾種方法可用于薄膜沉積，如前述的常規(guī)CVD、分子束外延(MBE)、金屬激光切割機(jī)一有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和等離子輔助沉積技術(shù)。常規(guī)激光切割CVD技術(shù)需加熱整個(gè)基材，其間反應(yīng)氣體或蒸氣流向基材表面，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而沉積薄膜。該過(guò)程非常緩慢（薄膜生長(zhǎng)速率為100~1000A/min）.而且因只有被加熱的表面用于薄膜沉積，激光切割機(jī)中CVD能源利用率很低。
另外，CVD激光切割技術(shù)過(guò)程的沉積溫度可高達(dá)1500K，這影響半導(dǎo)體摻雜物的擴(kuò)散系數(shù)繼而影響半導(dǎo)體薄膜的質(zhì)量。此外，激光切割CVD腔體中可能存在的污染物或晶片材料也可向高溫下生長(zhǎng)的薄膜中擴(kuò)散。由于沉積復(fù)合半導(dǎo)體薄膜的不同供體的揮發(fā)物質(zhì)不同，其激光切割機(jī)在高溫下薄膜沉積中將蒸發(fā)的量亦不同，因而會(huì)影響薄膜的性能。常規(guī)激光切割CVD方法在高溫下對(duì)晶片產(chǎn)生的物理?yè)p傷也會(huì)引起器件缺陷。另外，激光切割機(jī)長(zhǎng)時(shí)高溫暴露幾乎對(duì)所有基材材料都是有害的。例如，用于航空航天的鈦合金由于晶粒長(zhǎng)大，性能會(huì)大為下降。激光切割機(jī)用于汽車工業(yè)的鐵合金也會(huì)因晶粒長(zhǎng)大和晶界擴(kuò)散而產(chǎn)生性能降低。
MBE技術(shù)是激光切割技術(shù)中利用供體分子束或混同原子束撞擊被加熱的某單晶的表面而使薄膜外延生長(zhǎng)，化學(xué)反應(yīng)只發(fā)生在基材表面.MBE激光切割機(jī)技術(shù)主要用于制作半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件.MBE激光切割技術(shù)可以精確控制外延薄膜的生長(zhǎng)和成分。但是，該過(guò)程非常慢，薄膜生長(zhǎng)速率僅為100~200A/min等：其他材料薄膜：Bi203.Ca0、CaC03、Cu0、Sr0、SrC03、聚合物、TiB2、硅氧烷薄膜等。
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